Энергоинформ / Новости / Новости мира Технологий за 2009 год / 45-нанометровая производственная технология Intel ® на базе гафния
Благодаря использованию кардинально новых материалов, в том числе электронных схем на основе гафния, 45-нанометровая производственная технология Intel ® , в которой используются металлические затворы и диэлектрики Hi-k, помогает значительно повысить производительность и энергосбережение процессоров и приступить к созданию совершенно новых компьютеров.
Благодаря революционной транзисторной технологии корпорации Intel процессоры Intel на базе 45-нанометровой технологии с использованием гафния и диэлектриков Hi-k получают исключительные преимущества. Эти революционные новые процессоры создают более разнообразные возможности для игр, мультимедиа и многозадачности на работе, дома и во время отдыха.
Источник: Intel.com
