Энергоинформ /
Новости /
Новости мира Технологий за 2019 год /
Создан рекордно малый транзистор FinFET, превосходящий по характеристикам нынешние
14.01.2019. Создан рекордно малый транзистор FinFET, превосходящий по характеристикам нынешние
В качестве полупроводника используется арсенид индия-галлия, который благодаря его характеристикам рассматривают как альтернативу кремнию.
Специалисты МТИ и Университета штата Колорадо изготовили трехмерный транзистор, более компактный по сравнению с самыми малыми в выпускаемых сегодня чипах. «Трехмерными» такие транзисторы называют из-за вертикального расположения затвора — благодаря этому на кристалле можно разместить гораздо больше элементов.
Исследователи модифицировали изобретенную недавно процедуру поатомного травления, обеспечив возможность высокопрецизионной обработки полупроводниковых материалов. Травление протекает в несколько сотен циклов, причем за каждый проход удаляется слой толщиной всего в 0,02 нм, за счет чего обеспечивается высочайшая точность контроля над процессом. В качестве полупроводника используется арсенид индия-галлия, который благодаря его характеристикам рассматривают как альтернативу кремнию, обладающую определенными преимуществами.
В рамках экспериментов исследователи изготовили транзисторы FinFET, ширина которых составила менее 5 нм. Для сравнения, в этом году Apple и Qualcomm начали использовать в процессорах транзисторы FinFET шириной 7 нм. Экспериментальный транзистор не только компактнее, но и тратит примерно на 60% меньше энергии на переключение.
По словам исследователей, внедрить процесс изготовления их транзисторов будет несложно благодаря использованию доработанного варианта существующего оборудования.
Источник: Открытые системы
