Энергоинформ – развитие энергетики и информационных технологий

Энергоинформ — альтернативная энергетика, энергосбережение, информационно-компьютерные технологии

Баннер Renwex 2020

Энергоинформ / Новости / Новости мира Технологий за 2019 год / Создан рекордно малый транзистор FinFET, превосходящий по характеристикам нынешние

14.01.2019. Создан рекордно малый транзистор FinFET, превосходящий по характеристикам нынешние

В качестве полупроводника используется арсенид индия-галлия, который благодаря его характеристикам рассматривают как альтернативу кремнию.

Специалисты МТИ и Университета штата Колорадо изготовили трехмерный транзистор, более компактный по сравнению с самыми малыми в выпускаемых сегодня чипах. «Трехмерными» такие транзисторы называют из-за вертикального расположения затвора — благодаря этому на кристалле можно разместить гораздо больше элементов.

Исследователи модифицировали изобретенную недавно процедуру поатомного травления, обеспечив возможность высокопрецизионной обработки полупроводниковых материалов. Травление протекает в несколько сотен циклов, причем за каждый проход удаляется слой толщиной всего в 0,02 нм, за счет чего обеспечивается высочайшая точность контроля над процессом. В качестве полупроводника используется арсенид индия-галлия, который благодаря его характеристикам рассматривают как альтернативу кремнию, обладающую определенными преимуществами.

В рамках экспериментов исследователи изготовили транзисторы FinFET, ширина которых составила менее 5 нм. Для сравнения, в этом году Apple и Qualcomm начали использовать в процессорах транзисторы FinFET шириной 7 нм. Экспериментальный транзистор не только компактнее, но и тратит примерно на 60% меньше энергии на переключение.

По словам исследователей, внедрить процесс изготовления их транзисторов будет несложно благодаря использованию доработанного варианта существующего оборудования.

Источник: Открытые системы

© 2005–2019 Энергоинформ — альтернативная энергетика, энергосбережение, информационно-компьютерные технологии